ALD6018替代Z44场效应管

地区:江苏 无锡
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无锡市三三电子科技有限公司

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描述

  • 电流, Id 连续:49A
  • 电压, Vds *大:55V
  • 在电阻RDS(上):0.0111ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 封装类型:TO-220AB
  • 针脚数:3
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (15-Dec-2010)
  • 功耗:80W
  • 电压, Vgs *高:20V
  • ALD6018*/DT低压大电流MOS管,VDSS=60V;Rds(MAX)=18mΩ,ID(ct)=48A;ID(Dt)=53ATO-220CIRFZ44
    ALD6008*/DT低压大电流MOS管,VDSS=60V;Rds(MAX)=8mΩ,ID(ct)=110A;ID(Dt)=121ATO-220CIRF3205
    ALD4004*/DT低压大电流MOS管,VDSS=60V;Rds(MAX)=4mΩ,ID(ct)=137A;ID(Dt)=164ATO-220CIRF1404
    本公司产品芯片都为国外原装芯片,质量稳定*,望来电来函
品牌

ALD

型号

ALD6018

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

UHF/*频

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

GE-N-FET锗N沟道

开启电压

标准(V)

夹断电压

标准(V)

跨导

标准(μS)

*间电容

标准(pF)

低频噪声系数

标准(dB)

漏*电流

标准(mA)

耗散功率

标准(mW)