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品牌

IR/国际整流器

型号

20ETF06FP

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

MOS-TPBM/三相桥

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

10(V)

夹断电压

100(V)

跨导

10(μS)

*间电容

1100(pF)

低频噪声系数

11(dB)

漏*电流

100(mA)

耗散功率

100(mW)