S8550

地区:广东 深圳
认证:

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供应二三*管,IC,场效应 :、地址:深圳市新亚洲2期N1B158-159

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品牌

AEI英国联合电子

型号

S8550

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

MOS-HBM/半桥组件

封装外形

LLCC/无引线陶瓷片载

材料

GE-P-FET锗P沟道

开启电压

213(V)

夹断电压

23(V)

低频跨导

4(μS)

*间电容

567(pF)

低频噪声系数

8(dB)

漏*电流

9(mA)

耗散功率

89(mW)