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NCE01H29T是一款采用*结工艺技术生产的增强型N沟道MOSFET,旨在有更好的特性,如快速开关时间,低门充电,低状态电阻。该MOSFET有着广泛的应用,可*代替IRFP4468PBF。
特点
NCE01H29T
NCEPOWER
TO-247
无铅*型
直插式
盒带编带包装
大功率
恒泰柯功率MOSFET
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