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供应场效应管模块 IXFN38N100Q2 IXFN38N100

地区：广东 广州
认证： 无

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【名称】

场效应管

【厂商】

TOSHIBA东芝

【型号】

IXFN38N100Q2

【*】

无铅* 

【封装】

SOT-227B

【*性】

N Channel MOS

【电流】

 38A

【功率】

 890W

【电压】

1000V

【阻值】

0.25Ω 

【配对】

 -

【描述】

 新件正品

品牌/商标

IXY美国电报半导体

型号/规格

IXFN38N100Q2

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

DUAL/配对管

封装外形

SP/*外形

开启电压

1000（V）

夹断电压

1000（V）

跨导

1（μS）

*间电容

1（pF）

低频噪声系数

11（dB）

漏*电流

12（mA）

耗散功率

200（mW）