场效应管（MOS管）

*缘栅型场效应管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用UGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后*控制漏*电流的目的。在制造管子时，通过工艺使*缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形成了导电沟道，即使在VGS=0时也有较大的漏*电流ID。当栅*电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏*电流ID随着栅*电压的变化而变化。