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供应DMN32D2LDF-7 SOT353栅源电压10V,共源双N沟道增强型场效应管

地区：广东 深圳
认证： 无

深圳市福田区峻能达电子商行

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 特点

•通用源双N沟道MOSFET
•低导通电阻
•*低门限电压，1.2V*大
•低输入电容
•开关速度快
•低输入/输出泄漏
•小型表面贴装封装
•*D保护门
•无铅通过设计/*合RoHS（注2）
品牌/商标

DIOD*/美台

型号/规格

DMN32D2LDF-7

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

MOS-ARR/陈列组件

封装外形

SMD(SO)/表面封装

开启电压

30（V）

夹断电压

10（V）

跨导

*（μS）

*间电容

3.6（pF）

低频噪声系数

*（dB）

漏*电流

400（mA）

耗散功率

280（mW）