沟道逻辑电平增强模式场效电场效应三*管 NDS332P
地区：广东 深圳
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无
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产品属性
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| 品牌/商标 | FAIRCHILD/*童 | 型号/规格 | NDS332P |
| 种类 | *缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 |
| 开启电压 | -20（V） | 夹断电压 | 8（V） |
| 跨导 | *（μS） | *间电容 | 105（pF） |
| 低频噪声系数 | *（dB） | *大漏*电流 | -1000（mA） |
| *大耗散功率 | 500（mW） |
特点
________________________________________________________________________________
Asolute*大值在TA = 25℃，除非另有说明
*号参数NDS332P单位
VDSS漏源电压-20V
VGSS栅源电压- 连续&plu*n;8伏特
编号漏*电流 -连续（附注1a）-1甲
- 脉冲-10
PD的*大功率耗散（附注1a）0.5瓦
（附注1b）0.46
TJ和TSTG操作和存放温度范围-55到150 ° C
热特性
RqJA热阻，结到环境（附注1a）250 °C / W的
RqJC热阻，结到外壳（注1）75 °C / W的
NDS332P牧师é
0个，-20第五的RDS（ON）=0.41瓦@的VGS=-2.7V
的RDS（ON）=0.3瓦@的VGS=-4.5五
*低的水平栅*驱动要求可直接
在3V操作电路。的VGS（TH）的<1.0V时。
包装设计专有使用铜引线框架的
卓越的热性能和电气性能。
高密度的单元设计*低的RDS（ON）的。
卓越的导通电阻和*大直流电流
能力。
紧凑型工业标准的SOT -23表面贴装
包
FAIRCHILD/*童
NDS332P
