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长期 NGD8201NT4G

地区：广东 深圳
认证： 无

蔡明柱

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品牌/商标 安森美 型号/规格 NGD8201NT4G
种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 耗尽型 用途 L/功率放大
封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 IGBT*缘栅比*
开启电压 1（V） 夹断电压 1（V）
跨导 1（μS） *间电容 1（pF）
低频噪声系数 1（dB） *大漏*电流 1（mA）
*大耗散功率 1（mW）