NTGS3446T1G 功率MOSFET,N沟道

品牌:ON安森美 型号:NTGS3446T1G 应用范围:功率 功率特性:小功率 频率特性:中频 *性:NPN型 结构:点接触型 材料:硅(Si) 封装形式:贴片型 封装材料:树脂封装 截止频率fT:1（MHz） 集电**大允许电流ICM:1（A） 集电**大耗散功率PCM:1（W） 营销方式:代理 产品性质:*

NTGS3446T1G 功率MOSFET,5.1安培,20V,N沟道,SOT23-6

NTGS3433T1G
NTGS3441T1G
NTGS3443T1G
NTGS3446T1G
NTGS3455T1G
功率MOSFET,5.1安培,20V,N沟道,SOT23-6
产品特征
1.*的RDS（on）
2.更高的效率延长电池寿命
3.逻辑电平门*驱动
4.智能决策支持系统指定的高温
5.无铅封装（G后缀）
应用
1.电源管理在便携式和电池供电的产品，即电脑，打印机，PCMCIA卡，手机和无绳电话
2.锂离子电池应用
3.笔记本电脑