供应BSS84LT1G

Power MOSFET 130 mA, 50 V

晶体管*性: P-Channel
汲*/源*击穿电压: 50 V
闸/源击穿电压: /- 20 V
漏*连续电流: 130 mA
电阻汲*/源* RDS（导通）: 10 Ohms
配置: Single
*大工作温度: 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23
封装: Reel
下降时间: 1 ns
*小工作温度: - 55 C
功率耗散: 0.225 W
上升时间: 1 ns
工厂包装数量:3000
典型关闭延迟时间: 16 ns