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㊣*MOS 2SK209-GR 2SK209

地区：广东 深圳
认证： 无

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品牌/商标 TOS日本东芝 型号/规格 2SK209-GR 2SK209-Y 2SK302-GR 2SK302-Y 2SK2698 2SK3541
种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 增强型 用途 HF/高频(射频)放大
封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道
开启电压 12（V） 夹断电压 10（V）
低频跨导 0.5（μS） *间电容 0.33（pF）
低频噪声系数 2（dB） *大漏*电流 20（mA）
*大耗散功率 25（mW）