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现货**童场效应管FQA19N60

地区：广东 深圳
认证： 无

深圳市飞捷士科技有限公司

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*童 MOS IGBT 场效应管

Manufacturer:Fairchild Semiconductor 
Product Category:MOSFETs 
RoHS:RoHS Compliant Details 
Product:General Purpose MOSFETs 
Configuration:Single 
Package / Case:TO-* 
Transistor Polarity:N-Channel 
Drain-Source Breakdown Voltage:600 V 
Continuous Drain Current:18.5 A 
Power Dissipation:300000 mW 
Forward Transconductance gFS (Max / Min):16 S 
Resistance Drain-Source RDS (on):0.38 Ohm @ 10 V 
T*ical Fall Time:135 ns 
T*ical Rise Time:210 ns 
T*ical Turn-Off Delay Time:150 ns 
Packaging:Tube 
Gate-Source Breakdown Voltage: /- 30 V 
Maximum Operating Temperature:150 C 
Minimum Operating Temperature:- 55 C 
T*e:MOSFET
品牌

FAIRCHILD/*童

型号

FQA19N60

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

NF/音频(低频)

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

SIT静电感应

开启电压

1（V）

夹断电压

1（V）

跨导

1（μS）

*间电容

1（pF）

低频噪声系数

1（dB）

漏*电流

1（mA）

耗散功率

1（mW）