现货*SD1100C20C MOS 场效应管
地区:广东 深圳
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无
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产品属性
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品牌/商标 | IR 国际整流半导体 | 型号/规格 | SD1100C20C |
种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | NF/音频(低频) |
封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | ALGaAS铝镓砷 |
开启电压 | 1(V) | 夹断电压 | 1(V) |
低频跨导 | 1(μS) | *间电容 | 1(pF) |
低频噪声系数 | 1(dB) | *大漏*电流 | 1(mA) |
*大耗散功率 | 1(mW) |
IR 原装正品
飞捷电子是**的功率器件分销商,致力于*推广IR国际整流器件,国半,罗姆,INTERSIL,三菱电机,安森美,英飞凌,意法半导体,FUJI,*童等国际知名品牌功率器件, 主要经营IGBT模块,整流二*管模块,IGBT单管,SPM模块,场效应管,快恢复二*管,肖特基二*管,智能电源开关管,IC等*无铅产品。
产品种类: | 整流器 |
RoHS: | 详细信息 |
产品: | Standard Recovery Rectifier |
配置: | Single |
反向电压: | 2000 V |
正向电压下降: | 1.31 V |
正向连续电流: | 1400 A |
*大浪涌电流: | 13600 A |
反向电流 IR: | 15000 uA |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | Case B-43 |
封装: | Bulk |
*大工作温度: | + 180 C |
*小工作温度: | - 40 C |
IR 国际整流半导体
SD1100C20C