**HGTP7N60A4结型场效应管P沟道

地区:广东 深圳
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品牌/商标 *童 飞兆 Fairchild FSC 型号/规格 HGTP7N60A4
种类 结型(JFET) 沟道类型 P沟道
导电方式 增强型 用途 MOS-TPBM/三相桥
封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 ALGaAS铝镓砷
开启电压 1(V) 夹断电压 1(V)
低频跨导 1(μS) *间电容 1(pF)
低频噪声系数 1(dB) *大漏*电流 1(mA)
*大耗散功率 1(mW)

*童 飞兆 Fairchild*代理

Manufacturer:Fairchild Semiconductor 
Product Category:IGBT Transistors 
RoHS:RoHS Compliant Details 
Package / Case:TO-220AB 
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:600 V 
Collector-Emitter Breakdown Voltage:600 V 
Collector-Emitter Saturation Voltage:1.9 V 
Maximum Gate Emitter Voltage:20 V 
Continuous Collector Current Ic Max:34 A 
Gate-Emitter Leakage Current:+/- 250 nA 
Power Dissipation:125 W 
Packaging:Tube 
Configuration:Single 
品牌

*童 飞兆 Fairchild FSC

型号

HGTP7N60A4