东芝场效应管 2SK4108

数据列表 2SK4108
 
标准包装 50
类别 分离式半导体产品 
家庭 MOSFET，GaNFET - 单 
系列 -
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
 
FET 特点 标准型
 
开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C 270 毫欧 @ 10A, 10V
 
漏*至源*电压(Vdss) 500V
 
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C 20A
 
Id 时的 Vgs(th)（*大） 4V @ 1mA
 
闸电荷(Qg) @ Vgs 70nC @ 10V
 
在 Vds 时的输入电容(Ciss)  3400pF @ 25V
 
功率 - *大 150W
 
安装类型 通孔
 
封装/外壳 2-16C1B (TO-247 N)
 
包装 管件
 深圳*伟业电子有限公司  郗