*优势供应Infineon原装SPB20N60C3

地区:广东 深圳
认证:

深圳市永恒伟业电子有限公司

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数据列表标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)(*大)闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳包装供应商设备封装
SPB20N60C3
1,000
分离式半导体产品
FETs - Single
CoolMOS™
MOSFET N 通道,金属氧化物
标准型
190 毫欧 @ 13.1A, 10V
650V
20.7A
3.9V @ 1mA
114nC @ 10V
2400pF @ 25V
208W
表面贴装
TO-263-3, D²Pak (2 引线 接片), TO-263AB
带卷 (TR)
PG-TO263-3
品牌/商标

INFINEON/英飞凌

型号/规格

SPB20N60C3

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

材料

M*金属半导体

开启电压

10(V)

夹断电压

650(V)

跨导

190(μS)

*间电容

2400(pF)

低频噪声系数

1(dB)

漏*电流

20700(mA)

耗散功率

1(mW)