*优势供应Infineon英飞凌 SPB20N60C3

品牌/商标	INFINEON/英飞凌	型号/规格	SPB20N60C3
种类	*缘栅(MOSFET)	沟道类型	N沟道
导电方式	耗尽型	材料	M*金属半导体
开启电压	10（V）	夹断电压	650（V）
跨导	190（μS）	*间电容	2400（pF）
低频噪声系数	1（dB）	*大漏*电流	20700（mA）
*大耗散功率	1（mW）

数据列表标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳包装供应商设备封装

SPB20N60C3

1,000

分离式半导体产品

FETs - Single

CoolMOS™

MOSFET N 通道，金属氧化物

标准型

190 毫欧 @ 13.1A, 10V

650V

20.7A

3.9V @ 1mA

114nC @ 10V

2400pF @ 25V

208W

表面贴装

TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB

带卷 (TR)

PG-TO263-3