IGBT吸收电容器0.47uf半成品

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型号:ＱＤ-1200-0.47

特点: 主要用于开关器件的**吸收,也用于*电流通过的场合.

     适用于电源设备,变频器,*声设备,大功率开关电路

常规技术参数

 容量公差  CN=1.0uF&plu*n;3%                 工艺

额定电压:UN=1200VDC                     自愈式金属化薄膜电容器

额定电流:IN=18.5A                       干式结构,*PCB

*大浪涌峰值电流Is≤100A            外壳

自感 Ls＜10nH                          阻燃ABS,黑色                     

可重复浪涌电压Us＜1800VDC             介质损耗 ：tanδ0≤ 2.0x10-4                     

不可重复浪涌电压ǔ＜2000VDC             产品损耗:tanδ≤2.0*10-4(1KHZ)                     

工作温度:-30℃~ 75℃                                  ≤5.0*10-4(10KHZ)

预期寿命:10万小时