IGBT吸收电容器0.47uf-1200VDC

地区:安徽 铜陵
认证:

铜陵市启动电子制造有限责任公司

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型号:SFC-1200-1.0

特点: 主要用于开关器件的**吸收,也用于*电流通过的场合.

     适用于电源设备,变频器,*声设备,大功率开关电路

常规技术参数

 容量公差  CN=1.0uF&plu*n;3%                 工艺

额定电压:UN=1200VDC                     自愈式金属化薄膜电容器

额定电流:IN=18.5A                       干式结构,*PCB

*大浪涌峰值电流Is≤100A            外壳

自感 Ls<10nH                          阻燃ABS,黑色                     

可重复浪涌电压Us<1800VDC             介质损耗 :tanδ0≤ 2.0x10-4                     

不可重复浪涌电压ǔ<2000VDC             产品损耗:tanδ≤2.0*10-4(1KHZ)                     

工作温度:-30℃~ 75℃                                  ≤5.0*10-4(10KHZ)

预期寿命:10小时

 

品牌/商标

国产

型号/规格

IGBT吸收电容器0.47

介质材料

*薄膜

应用范围

高频消振

外形

方块状

引线类型

同向引出线

允许偏差

&plu*n;5(%)

标称容量

0.47(uF)

损耗

tanδ0≤ 2.0x10-4

额定电压

1200(V)