| 品牌/商标 |
VISHAY |
型号/规格 |
SUM110P06-07L-E3 |
| 种类 |
*缘栅(MOSFET) |
沟道类型 |
P沟道 |
| 导电方式 |
耗尽型 |
用途 |
NF/音频(低频) |
| 封装外形 |
CHIP/小型片状 |
材料 |
GaAS-FET砷化镓 |
| 开启电压 |
000（V） |
夹断电压 |
00（V） |
| 低频跨导 |
0（μS） |
*间电容 |
00（pF） |
| 低频噪声系数 |
0（dB） |
*大漏*电流 |
0（mA） |
| *大耗散功率 |
0（mW） |
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