原厂供应高压IGBT单管TNCE10GV/10A

地区:江苏 无锡
认证:

无锡新洁能功率半导体有限公司

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产品特征:Trench NPT(非穿通)技术

低Vcesat,低导通损耗

拖尾电流小,更小的开关损耗和更快的开关速度

短路电流能力强,Tsc>10us,可提供给控制电路充足的时间及时关断器件

高Eas能力

更强的*闩锁能力

*强的*冲击能力

易并联使用

产品应用:感应加热,微波炉,电磁炉,逆变器,UPS,变频器等

软开关应用

Vds=1200VId=10A 

封装:TO-220















品牌/商标

NCE

型号/规格

NCE10G120

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

MOS-HBM/半桥组件

封装外形

P-DIT/塑料双列直插

材料

IGBT*缘栅比*

开启电压

4-7(V)

夹断电压

1200(V)