电源、*灯三*管，13001，ECB，TO-92

*，长期大量供应三*管13001，有0.66和0.83两种芯片，支架分铜铁，欢迎来电咨询。

ELE*RICAL CHARA*ERISTICS（Tj=25℃Unless Otherwise Stated）

Parameter	Symbol	Test conditions	Min	Max	Unit
Collector-Base Breakdown Voltage	BVCBO	Ic=0.5mA,Ie=0	600		V
Collector-Emitter Breakdown Voltage	BVCEO	Ic=10mA,Ib=0	400		V
Emitter-Base Breakdown Voltage	BVEBO	Ie=1mA,Ic=0	7		V
Collector-Base Cutoff Current	ICBO	Vcb=600V,Ie=0		100	μA
Collector- EmitterCutoff Current	ICEO	Vce=400V,Ib=0		20	μA
Emitter-Base Cutoff Current	IEBO	Veb=7V,Ic=0		100	μA
DC Current Gain	hFE	Vce=20V,Ic=20mA	10	40
Collector-Emitter Saturation Voltage	VCE(sat)	Ic=200mA,Ib=100mA		0.6	V
Base-Emitter Saturation Voltage	VBE(sat)	Ic=200mA,Ib=100mA		1.2	V
Storage Time	Ts	Ic=0.1mA, (UI9600)		2	μS
Falling Time	fT	VCE=20V,Ic=20mA f=1MHZ	5		MHZ

CLASSIFICATION OF Hfe(1)

10-15

15-20

20-25

30-35

品牌/商标

国产

型号/规格

13001，ECB

应用范围

高反压

功率特性

小功率

频率特性

低频

*性

NPN型

结构

点接触型

材料

硅(Si)

封装形式

直插型

封装材料

塑料封装

营销方式

*

产品性质

*