描述:
KF3006系列双N沟道增强型功率场效应管（MOSFET），采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺*适用于减小导通电阻。KF3006适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。
特点:
● 20V/5A
● RDS(ON) =23.8mΩ@ VGS=3.85V,ID=5A
● *密度单元、*小的RDS(ON)）
● 贴片封装：SOP8
应用:
● 笔记本电池管理
● 便携式设备
● 电池电源系统
● DC/DC转换
● 负载开关
● LCD显示适配器
