供应场效应管WFU1N80

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现货长期供应*场效应管场效应管WFU1N80  TO-251 质量*.*有货.有实力的公司可以月结.欢迎来电

WFU1N80 TO-251   N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用平面VDMOS 工艺技术制造。*的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、*的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PMW马达驱动。

∗ 1A,800V,RDS(on)=18Ω@VGS=10V
∗ 低栅*电荷量
∗ 低反向传输电容
∗ 开关速度快

WFU1N80 TO-251   N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用平面VDMOS 工艺技术制造。*的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、*的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PMW马达驱动。

∗ 1A,800V,RDS(on)=14Ω@VGS=10V
∗ 低栅*电荷量
∗ 低反向传输电容
∗ 开关速度快

品牌/商标

Wisdom

型号/规格

WFU1N80

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

SW-REG/开关电源

封装外形

P-DIT/塑料双列直插

材料

GE-N-FET锗N沟道

低频噪声系数

0.1

低频跨导

0.1

漏*电流

0.1