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场效应管HX4N60C(TO-251,TO-252

地区：广东 深圳
认证： 无

蒋德平

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品牌/商标 HX(环鑫) 型号/规格 HX4N60C(TO-251,TO-252)
种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 增强型 封装外形 P-DIT/塑料双列直插
材料 N-FET硅N沟道 开启电压 0.1（V）
夹断电压 0.1（V） 低频跨导 0.1（μS）
*间电容 0.1（pF） 低频噪声系数 0.1（dB）
*大漏*电流 0.1（mA） *大耗散功率 0.1（mW）