NTD20N06LT4G NTD20P06LT4G 20N06 20P06 MOS管 20A 60V

地区:广东 东莞
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規格書產品相片產品目錄繪圖標準包裝類別家庭系列FET型FET特點開態Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C漏極至源極的電壓(Vdss)電流 - 連續漏極(Id) @ 25° CId時的Vgs(th)(*大值)閘電流(Qg) @ VgsVds時的輸入電容(Ciss)功率 - *大安裝類型封裝/外殼供應商設備封裝封裝產品目錄頁面其他名稱
NTD20N06L
TO-252-3
MOSFET DPAK Pkg
2,500
離散半導體產品
FET - 單路
-
MOSFET N通道,金屬氧化物
邏輯電平閘極
48 毫歐姆 @ 10A, 5V
60V
20A
2V @ 250µA
32nC @ 5V
990pF @ 25V
1.36W
表面黏著式
TO-252-3, DPak (2引線 接頭), SC-63
DPAK-3
編帶和捲軸封裝(TR)
1588 (TW2011-ZH PDF)
NTD20N06LT4GOS
NTD20N06LT4GOS-ND
NTD20N06LT4GOSTR
品牌/商标

AEI英国联合电子

型号/规格

NTD20N06LT4G

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

MAP/匹配对管

封装外形

CHIP/小型片状

材料

N-FET硅N沟道