性能特点
采用第6代IGBT硅片CSTBT技术，缩窄沟槽间距，改善了改善VCEsat– Eoff折衷曲线，损耗低
二极管采用第6代LPT硅片技术，正向导通压降低，改善VF和Err的折衷曲线
硅片结温最高可达175°C
硅片运行温度最高可达150°C
内部集成NTC测温电阻
全系列共享同一封装平台，并于竞争对第6代NX系列IGBT模块产品一览(1700V)
电流 NX-M NX-L
CIB 7单元 6单元 2单元 2单元
50 CM50RX-34S CM50TX-34S
75 CM75RX-34S CM75TX-34S
100 CM100TX-34S
150 CM150DX-34S
200 CM200DX-34S
300 CM300DX-34S
400 CM400DXL-34S
600 CM600DXL-34S
手对应型号兼容
