第5代L1系列IPM的详细介绍
L1系列IPM通过采用低功耗IGBT减少了噪声的产生，实现了高性能和环保的两者兼顾。另外，由于同系列IPM
600V/1200V产品封装相同，从而也有助于实现装置的小型化。
由于采用CSTBTTM，实现了低功耗。影响噪声产生的输出电流在小电流范围内时放慢开关速度，以此降低IPM
放射噪声。因此不需要噪声滤波器，使得装置的小型化和高性能化成为可能。
小型・新封装
◆ 50～150A/600V, 25～75A/1200V的模块开发了新的小型封装。～75A的模块，除了主端子是螺丝型的模
块外，还有一部分节省空间的针型引脚的模块产品线。
◆ 450～600A/600V, 200～450A/1200V容量级的模块第一次开发出内含6单元IGBT的小型封装。
◆ 200～300A/600V, 100～150A/1200V在开发了新封装的同时，也实现了与原来的S-DASH系列的兼容。
低功耗
◆ 采用了第5代1μm IGBT硅片(CSTBTTM)，降低了功耗，可以减小了散热器的体积。
缩短了项目开发周期
◆ 内置IGBT的栅极驱动电路。
控制电源只需+15V（不需要反向偏压电源），简化了周边电路的设计。
实现了控制电路CMOS化，降低了控制电路的电力功耗。
◆ 内置故障检测和保护电路（短路过电流、过温、控制电源欠压）。
这样就减少了原来的设计 >> 试制 >> 评价 >> 再设计的多次循环工作。
不需要防静电措施
◆ 和双极性TTL一样使用，不需要另外针对IGBT模块的措施。
注） 并非完全不要防静电措施，只是使用和双极性IC（TTL等）同样的静电措施。
兼容输入接口
◆ 兼容的控制输入和Fo输出的电路设计。
所有产品具有兼容的控制输入端子设置。相同的封装简化了装置的结构设计。
提高了可靠性
◆ 跟原来相比，内置的保护电路降低了由于过载和误动作带来损坏的可能性。
服务和维修的成本也得到了降低。
IPM的开发需要IGBT硅片、封装、电路及IC等各个分支的技术。
综上所述，除了使用的器件易于产品化，还要提高可靠性和选择最合适的型号。
性能特点
采用全栅型 CSTBTTM硅片实现低损耗
IGBT硅片正中央处集成温度传感器，过温保护更精确(145℃)
新的结线技术使功率循环能力得到显著提高
主端子有针脚型和螺丝型两种形式
与第5代L系列IPM兼容
新增S型七合一封装(90mm 50mm)
完全无铅焊接(对应RoHS指令)
应用领域
高性能变频传动装置，如矢量控制变频器、伺服驱动器等
