场效应管 FQP5N50C,FQP5N50,FQP6N50,5N50

产品型号:FQP5N50C

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):1.4

最大漏极电流Id(on)(A):5

功率PD(W):73

通道极性:N沟道

封装/温度(℃):TO-220 /-55 ~150

描述:5500V, 5A 功率MOSFET

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型号/规格

FQP5N50C,TO-220,MOS,500V，5A

品牌/商标

FAIRCHILD（飞兆）

封装形式

TO-220

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

1000/盒

功率特征

供应 场效应管 FQP5N50C,FQP5N50,FQP6N50,5N50