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产品属性
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产品型号:SI2300
封装:SOT-23
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):20
夹断电压VGS(V):±12
最大漏极电流Id(A):6
源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.025 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):1
功率PD(W):1.25
输入电容Ciss(PF):550 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s):
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
导通延迟时间Td(on)(ns):8 typ.
上升时间Tr(ns):6 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):19 typ.
下降时间Tf(ns):7 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:20V,6A N-沟道增强型场效应晶体管
SI2300,SI2302
国产
SOT-23
无铅环保型
贴片式
3000/盘
供应 场效应管 AOD496 , AOD448 ,D484,D496
供应 场效应管 AO3420,AO3414,AO3414L
供应 场效应管 HFU2N60, P0460BI, AP03N70J
供应 场效应管 RJK0349DPA,RJK0348DPA
供应 场效应管 AON6788
供应 场效应管 STF13NM60N,13NM60N
供应 场效应管 TK12A50D,K12A50D,TK12A50DR
供应 场效应管 EMF90P02A F90P02A EMF90P02
供应场效应管,IRLR3103TRL,IRLR3103,LR3103
供应 场效应管 FQP3N80,FQP3N80C,FQP6N80