场效应管 ISL9N308AD3 ISL9N308 N308AD

产品型号:ISL9N308AD3

封装:TO-251/IPAK

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30

夹断电压VGS(V):±20

最大漏极电流Id(A):50

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.008 @VGS =10 V

开启电压VGS(TH)(V):3

功率PD(W):100

极间电容Ciss(PF):2600

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):

温度(℃): -55 ~175

描述:30V,50A N-Channel 功率MOSFET

如需了解更多的产品信息:
1、直接与我司工作人员联系!
2、登陆我站:https://www.chinajincheng.com
3、:4006262666
4、Q
(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\\查询\\下载.)