产品详情

INFINEON 英飞凌场效应管 IPP100N08N3 G

地区：广东 深圳
认证： 无

深圳市佰昇电子有限公司

普通会员

全部产品 进入商铺
FET 型FET 特点漏极至源极电压(Vdss)电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° CId 时的 Vgs(th)（最大）闸电荷(Qg) @ Vgs输入电容 (Ciss) @ Vds功率 - 最大安装类型封装/外壳
MOSFET N 通道，金属氧化物
标准
80V
70A
10 毫欧 @ 46A，10V
3.5V @ 46µA
35nC @ 10V
2410pF @ 40V
100W
通孔
TO-220-3
型号/规格

IPP100N08N3 G

材料

GE-N-FET锗N沟道

用途

DC/直流

品牌/商标

INFINEON/英飞凌

沟道类型

MOSFET N 通道，金属氧化物

种类

绝缘栅(MOSFET)

导电方式

增强型