M02N60 TO252场效应大量现货*中

地区:广东 中山
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品牌/商标 TAIWAN 型号/规格 M02N60
种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 增强型 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插
材料 N-FET硅N沟道 开启电压 (V)
夹断电压 (V) 低频跨导 (μS)
*间电容 (pF) 低频噪声系数 (dB)
*大漏*电流 (mA) *大耗散功率 (mW)



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品牌

TAIWAN

型号

M02N60