贴片场效应三*管IRLR024N

地区:广东 深圳
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類別 離散半導體產品家庭 MOSFET - 單安裝類型 表面黏著式FET型 N通道漏極至源極的電壓(Vdss) 55V電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C 17A開態Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C 65毫歐姆@ 10A,10V輸入電容(Ciss)@Vds 480pF @ 25V功率 - *大 45W封裝 編帶和捲軸封裝(TR)閘電流(Qg) @ Vgs 15nC @ 5V封裝/外殼 DPak (TO-252)
品牌/型号

IR/IRLR024N

特色标志

*

封装

TO-252/DPAK

*限电压

55(V)

*限电流

17(A)

种类

*缘栅MOSFET

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型