场效应管 IPD09N03/IPD09N03LA
地区：广东 深圳
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产品属性
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| 品牌/商标 | Infineon | 型号/规格 | IPD09N03LAG |
| 种类 | *缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | L/功率放大 |
| 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 1.2-2（V） | 夹断电压 | 0（V） |
| 低频跨导 | 46000（μS） | *间电容 | 1235（pF） |
| *大漏*电流 | 50000（mA） | *大耗散功率 | 63000（mW） |
Low Voltage MOSFETs - OptiMOS®2 Power MOSFET, 25V, D-PAK, RDSon = 8.6mOhm, 50A,
Infineon
IPD09N03LAG
