贴片场效应三*管IRLR120N

地区:广东 深圳
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類別 離散半導體產品家庭 MOSFET - 單安裝類型 表面黏著式FET型 N通道漏極至源極的電壓(Vdss) 100V電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C 10A開態Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C 185毫歐姆@ 6A,10V輸入電容(Ciss)@Vds 440pF @ 25V功率 - *大 48W封裝 編帶和捲軸封裝(TR)閘電流(Qg) @ Vgs 20nC @ 5V封裝/外殼 DPak (TO-252)閘極至源極的電壓(*大Vgs) 16V
品牌/型号

IR/IRLR120N

封装

TO-252/DPAK

*限电压

100(V)

*限电流

10(A)

种类

*缘栅MOSFET

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型