【华强实体店供应】原装电动车用场效应STP75NF75/75NF75/P75NF75

地区:广东 深圳
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描述

  • 晶体管*性:N沟道
  • 电流, Id 连续:80A
  • 电压, Vds *大:75V
  • 在电阻RDS(上):11mohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:3V
  • 封装类型:TO-220
  • 针脚数:3
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (15-Dec-2010)
  • N沟道栅*电荷 Qg:117nC
  • 功率, Pd:300W
  • 功耗:300W
  • 封装类型:TO-220
  • 封装类型, 替代:SOT-78B
  • 漏*电流, Id *大值:80A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds:75V
  • 电压, Vds 典型值:75V
  • 电压, Vgs Rds N沟道:10V
  • 电压, Vgs *高:3V
  • 电压变化率 dv/dt:12V/µs
  • 电流, Idm 脉冲:320A
  • 结温, Tj :-55°C
  • 结温, Tj *高:175°C
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:11mohm
  • 阈值电压, Vgs th :2V
"
品牌/商标

ST/意法

型号/规格

STP75NF75

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

SW-REG/开关电源

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

2-4(V)

夹断电压

0(V)

跨导

20S(μS)

漏*电流

80A(mA)

耗散功率

300W(mW)