产品详情

*供应国产场效应 IRF630/IRF630B/可代替IRF630N

地区：广东 深圳
认证： 无

深圳市福田区华强广场新原电子销售部

普通会员

全部产品 进入商铺
描述
  • 晶体管*性:ñ频道
  • 电流, Id 连续:9A
  • 电压, Vds *大:200V
  • 在电阻RDS（上）:300mohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
  • 封装类型:TO-220AB
  • 针脚数:3
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (15-Dec-2010)
  • 功率, Pd:82W
  • 功耗:82W
  • 封装类型:TO-220AB
  • 晶体管类型:
  • 漏*电流, Id *大值:9.3A
  • 热阻, 结至外壳 A:1.83°C/W
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:200V
  • 电压, Vgs *高:4V
  • 电流, Idm 脉冲:37A
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 阈值电压, Vgs th *高:4V
品牌/商标

国产

型号/规格

IRF630

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

SW-REG/开关电源

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

2-4（V）

夹断电压

0（V）

漏*电流

9A（mA）

耗散功率

72（mW）