场效应 IRLR014/LR014/IRFR014

地区:广东 深圳
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品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRLR014
种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 增强型 用途 L/功率放大
封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道
开启电压 1-2(V) 夹断电压 0(V)
低频跨导 3.4S(μS) *间电容 400(pF)
*大漏*电流 7700(mA) *大耗散功率 25000(mW)