供应7N60场效应管

品牌:* 型号:7N60 应用范围:放大 功率特性:大功率 频率特性:高频 结构:点接触型 特征频率:...（MHz） 集电*允许电流:...A（A） 集电**大允许耗散功率:...W（W）

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什么是三*管

　　（也称晶体管）在中文含义里面只是对三个引脚的放大器件的统称，我们常说的三*管，可能是

如图所示的几种器件， 　　可以看到，虽然都叫三*管，其实在英文里^[1]面的说法是千差万别的，三*管这个词汇其实也是中文*的一个象形意义上的的词汇 　　电子三*管 Triode 这个是英汉字典里面“三*管”这个词汇的*英文翻译，这是和电子三*管*早出现有关系的，所以先入为主，也是真正意义上的三*管这个词*初所指的物品。其余的那些被中文里叫做三*管的东西，实际翻译的时候是*对不可以翻译成Triode的，否则就麻烦大咯，严谨的说，在英文里面根本就没有三个脚的管子这样一个词汇！！！ 　　电子三*管 Triode （俗称电子管的一种） 　　双*型晶体管 BJT （Bipolar Junction Transistor） 　　J型场效应管Junction gate FET（Field Effect Transistor） 　　金属氧化物半导体场效应晶体管 MOS FET ( Metal Oxide Semi-Conductor Field Effect Transistor)英文全称 　　V型槽场效应管 VMOS （Vertical Metal Oxide Semiconductor ） 　　注：这三者看上去都是场效应管，其实结构千差万别 　　J型场效应管 金属氧化物半导体场效应晶体管 V沟道场效应管 是 单*（Unipolar）结构的，是和 双*（Bipolar）是对应的，所以也可以统称为单*晶体管（Unipolar Junction Transistor） 　　其中J型场效应管是非*缘型场效应管，MOS FET 和VMOS都是*缘型的场效应管 　　VMOS是在 MOS的基础上改进的一种大电流，高放大倍数（跨道）新型功率晶体管，区别就是使用了V型槽，使MOS管的放大系数和工作电流大幅*，但是同时也大幅增加了MOS的输入电容，是MOS管的一种大功率改经型产品，但是结构上已经与传统的MOS发生了*大的差异。VMOS只有增强型的而没有MOS所*的耗尽型的MOS管

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三*管的发明

　　1947年12月23日，美国新泽西州墨累山的贝尔实验室里，3位科学家——巴丁博士、布菜顿博士和肖克莱博士在紧张而又有条不紊地做着实验。他们在导体电路中正在进行用半导体晶体把声音信号放大的实验。3位科学家惊奇地发现，在他们发明的器件中通过的一部分微量电流，竟然可以控制另一部分流过的大得多的电流，因而产生了放大效应。这个器件，就是在科技*具有划时代意义的成果——晶体管。因它是在圣诞节前夕发明的，而且对人们未来的生活发生如此*大的影响，所以被称为“献给世界的圣诞节礼物”。另外这３位科学家因此共同荣获了1956年诺贝尔物理学奖。 　　晶体管*并带来了“固态*”，进而推动了*范围内的半导体电子工业。作为主要部件，它及时、普遍地*先在通讯工具方面得到应用，并产生了*大的经济效益。由于晶体管彻底改变了电子线路的结构，集成电路以及大规模集成电路应运而生，这样制造像*电子计算机之类的*装置就变成了现实。

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工作原理

　　晶体三*管（以下简称三*管）按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用*多的是硅NPN和锗PNP两种三*管，两者除了电源*性不同外，其工作原理都是相同的，下面*介绍NPN硅管的电流放大原理。 　　对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射*e、基*b和集电*c。 　　当b点电位高于e点电位*点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电*电源Ec要高于基*电源Ebo。 　　在制造三*管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正偏，发射区的多数载流子（电子）*基区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射*电流了。 　　由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基*电源Eb重新补给，从而形成了基*电流Ibo.根据电流连续性原理得： 　　Ie=Ib+Ic 　　这就是说，在基*补充一个很小的Ib，就可以在集电*上得到一个较大的Ic，这就是所谓电流放大作用，Ic与Ib是维持*的比例关系，即： 　　β1=Ic/Ib 　　式中：β1--称为直流放大倍数， 　　集电*电流的变化量△Ic与基*电流的变化量△Ib之比为： 　　β= △Ic/△Ib 　　式中β--称为交流电流放大倍数，由于低频时β1和β的数值相差不大，所以有时为了方便起见，对两者不作严格区分，β值约为几十至一百多。 　　三*管是一种电流放大器件，但在实际使用中常常利用三*管的电流放大作用，通过电阻转变为电压放大作用。 　　三*管放大时管子内部的工作原理 　　1、发射区向基区发射电子 　　电源Ub经过电阻Rb加在发射结上，发射结正偏，发射区的多数载流子(自由电子）不断地越过发射结进入基区，形成发射*电流Ie。同时基区多数载流子也向发射区扩散，但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度，可以不考虑这个电流，因此可以认为发射结主要是电子流。 　　2、基区中电子的扩散与复合 　　电子进入基区后，先在靠近发射结的附近密集，渐渐形成电子浓度差，在浓度差的作用下，促使电子流在基区中向集电结扩散，被集电结电场拉入集电区形成集电*电流Ic。也有很小一部分电子（因为基区很薄）与基区的空穴复合，扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三*管的放大能力。 　　3、集电区收集电子 　　由于集电结外加反向电压很大，这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散，同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电*主电流Icn。另外集电区的少数载流子（空穴）也会产生漂移运动，流向基区形成反向饱和电流，用Icbo来表示，其数值很小，但对温度却异常敏感。

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什么是三*管

　　（也称晶体管）在中文含义里面只是对三个引脚的放大器件的统称，我们常说的三*管，可能是

如图所示的几种器件，

　　可以看到，虽然都叫三*管，其实在英文里^[1]面的说法是千差万别的，三*管这个词汇其实也是中文*的一个象形意义上的的词汇

　　电子三*管 Triode 这个是英汉字典里面“三*管”这个词汇的*英文翻译，这是和电子三*管*早出现有关系的，所以先入为主，也是真正意义上的三*管这个词*初所指的物品。其余的那些被中文里叫做三*管的东西，实际翻译的时候是*对不可以翻译成Triode的，否则就麻烦大咯，严谨的说，在英文里面根本就没有三个脚的管子这样一个词汇！！！

　　电子三*管 Triode （俗称电子管的一种）

　　双*型晶体管 BJT （Bipolar Junction Transistor）

　　J型场效应管Junction gate FET（Field Effect Transistor）

　　金属氧化物半导体场效应晶体管 MOS FET ( Metal Oxide Semi-Conductor Field Effect Transistor)英文全称

　　V型槽场效应管 VMOS （Vertical Metal Oxide Semiconductor ）

　　注：这三者看上去都是场效应管，其实结构千差万别

　　J型场效应管 金属氧化物半导体场效应晶体管 V沟道场效应管 是 单*（Unipolar）结构的，是和 双*（Bipolar）是对应的，所以也可以统称为单*晶体管（Unipolar Junction Transistor）

　　其中J型场效应管是非*缘型场效应管，MOS FET 和VMOS都是*缘型的场效应管

　　VMOS是在 MOS的基础上改进的一种大电流，高放大倍数（跨道）新型功率晶体管，区别就是使用了V型槽，使MOS管的放大系数和工作电流大幅*，但是同时也大幅增加了MOS的输入电容，是MOS管的一种大功率改经型产品，但是结构上已经与传统的MOS发生了*大的差异。VMOS只有增强型的而没有MOS所*的耗尽型的MOS管

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三*管的发明

　　1947年12月23日，美国新泽西州墨累山的贝尔实验室里，3位科学家——巴丁博士、布菜顿博士和肖克莱博士在紧张而又有条不紊地做着实验。他们在导体电路中正在进行用半导体晶体把声音信号放大的实验。3位科学家惊奇地发现，在他们发明的器件中通过的一部分微量电流，竟然可以控制另一部分流过的大得多的电流，因而产生了放大效应。这个器件，就是在科技*具有划时代意义的成果——晶体管。因它是在圣诞节前夕发明的，而且对人们未来的生活发生如此*大的影响，所以被称为“献给世界的圣诞节礼物”。另外这３位科学家因此共同荣获了1956年诺贝尔物理学奖。

　　晶体管*并带来了“固态*”，进而推动了*范围内的半导体电子工业。作为主要部件，它及时、普遍地*先在通讯工具方面得到应用，并产生了*大的经济效益。由于晶体管彻底改变了电子线路的结构，集成电路以及大规模集成电路应运而生，这样制造像*电子计算机之类的*装置就变成了现实。

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工作原理

　　晶体三*管（以下简称三*管）按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用*多的是硅NPN和锗PNP两种三*管，两者除了电源*性不同外，其工作原理都是相同的，下面*介绍NPN硅管的电流放大原理。

　　对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射*e、基*b和集电*c。

　　当b点电位高于e点电位*点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电*电源Ec要高于基*电源Ebo。

　　在制造三*管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正偏，发射区的多数载流子（电子）*基区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射*电流了。

　　由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基*电源Eb重新补给，从而形成了基*电流Ibo.根据电流连续性原理得：

　　Ie=Ib+Ic

　　这就是说，在基*补充一个很小的Ib，就可以在集电*上得到一个较大的Ic，这就是所谓电流放大作用，Ic与Ib是维持*的比例关系，即：

　　β1=Ic/Ib

　　式中：β1--称为直流放大倍数，

　　集电*电流的变化量△Ic与基*电流的变化量△Ib之比为：

　　β= △Ic/△Ib

　　式中β--称为交流电流放大倍数，由于低频时β1和β的数值相差不大，所以有时为了方便起见，对两者不作严格区分，β值约为几十至一百多。

　　三*管是一种电流放大器件，但在实际使用中常常利用三*管的电流放大作用，通过电阻转变为电压放大作用。

　　三*管放大时管子内部的工作原理

　　1、发射区向基区发射电子

　　电源Ub经过电阻Rb加在发射结上，发射结正偏，发射区的多数载流子(自由电子）不断地越过发射结进入基区，形成发射*电流Ie。同时基区多数载流子也向发射区扩散，但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度，可以不考虑这个电流，因此可以认为发射结主要是电子流。

　　2、基区中电子的扩散与复合

　　电子进入基区后，先在靠近发射结的附近密集，渐渐形成电子浓度差，在浓度差的作用下，促使电子流在基区中向集电结扩散，被集电结电场拉入集电区形成集电*电流Ic。也有很小一部分电子（因为基区很薄）与基区的空穴复合，扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三*管的放大能力。

　　3、集电区收集电子

　　由于集电结外加反向电压很大，这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散，同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电*主电流Icn。另外集电区的少数载流子（空穴）也会产生漂移运动，流向基区形成反向饱和电流，用Icbo来表示，其数值很小，但对温度却异常敏感。