拆机场效应K2655,2SK2655
地区:广东 汕头
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无
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品牌/商标 | * | 型号/规格 | K2655,2SK2655 |
种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 耗尽型 | 用途 | L/功率放大 |
封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
开启电压 | ,(V) | 夹断电压 | ,(V) |
跨导 | ,(μS) | *间电容 | ,(pF) |
低频噪声系数 | ,(dB) | *大漏*电流 | ,,(mA) |
*大耗散功率 | ,(mW) |
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