MOS管 SI2312 [台湾晶圆自产批发]

地区:广东 深圳
认证:

韦若静

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SI2312

- 20V N-T*e MOSFET

- ld=5A

- Rds(on)≤48mΩ @Vgs=4.5V

- Rds(on)≤55mΩ @Vgs=2.5V

- Rds(on)≤65mΩ @Vgs=1.8V

- 封装:SOT23

料号

沟道

封装

耐流

耐压

Vgs

Vth

max.

Qg

(t*.)

內阻max.@Vgs

备注

10V

4.5V

2.5V

1.8V

SI2312

N

SOT23

5

20

&plu*n;8

1.0

 

 

48

55

65

 

有任何问题或需求,请与本公司业务单位连系。

封装外形

SMD(SO)/表面封装

型号/规格

SI2312

材料

N-FET硅N沟道

品牌/商标

SI

沟道类型

N沟道

种类

*缘栅(MOSFET)

导电方式

增强型