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MOS管 SI2306 [台湾晶圆自产批发]

地区：广东 深圳
认证： 无

韦若静

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SI2306

- 30V N-T*e Channel

- Id=3.6A

- Rds(on)≤55mΩ @Vgs=10V

- Rds(on)≤78mΩ @Vgs=4.5V

- 封装：SOT23

料号

沟道

封装

耐流

耐压

Vgs

Vth

max.

Qg

(t*.)

內阻max.@Vgs

备注

10V

4.5V

2.5V

1.8V

SI2306

N

SOT23

3.6

30

&plu*n;20

2.5

 

55

78

 

 

 

如有任何问题或需求，请与本公司业务单位连系。

"
封装外形

SMD(SO)/表面封装

型号/规格

SI2306

材料

N-FET硅N沟道

品牌/商标

Pm

沟道类型

N沟道

种类

*缘栅(MOSFET)

导电方式

增强型