*童FQPF4N90C场效应管现货

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*童场效应管FQPF4N90C 现货

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KIA®MOSFET LIST  

Part NumberID (A)VDSS (V)Max RDS(ON)@60% ID (?)T*ical RDS(ON)@60% ID (?)Package
KIA1N600.356001513TO92
KIA1N6516509.58.1TO92
KIA2N6026004.43.8TO220F
KIA4N60P4.46002.52.0TO220,TO220F,TO252
KIA5N60E4.56002.52.0TO220,TO220F,TO262
KIA5N6056002.21.76TO220,TO220F,TO262
KIA6N6066001.21.0TO220,TO220F,TO262
KIA7N606.96001.10.9TO220,TO220F,TO262
KIA8N607.46001.00.8TO220,TO220F,TO262
KIA7305.54001.00.85TO220,TO262
KIA740104000.550.49TO220,TO262
KIA8304.55001.51.2TO220,TO262
KIA84085000.850.72TO220,TO262
KIA9N5095000.70.6TO220
KIA10N60106000.750.66TO220
KIA12N60126000.650.55TO220
KIA14N60146000.550.5TO220
KIA50N06A50600.0190.016TO252,TO220
KIA50N0650600.0230.019TO252,TO220
KIA65N0665600.0160.013TO220
KIA44Z51550.01390.0111TO252,TO220
KIA3710Z591000.0180.014TO220,TO262,TO263
KIA3205Z110550.00650.0049TO220
KIA152-0.7-200.30.23SOT23
KIA2301-2.8-200.10.08SOT23
KIA23023200.0720.055SOT23
KIA2N70020.115607.5-SOT23

 

品牌

FAIRCHILD/*童

型号

FQPF4N90C

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

MOS-HBM/半桥组件

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

900(V)

夹断电压

2(V)

跨导

2(μS)

*间电容

22(pF)

低频噪声系数

2(dB)

漏*电流

2(mA)

耗散功率

2(mW)