原装2SK2806场效应管
地区：广东 深圳
认证：
无
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产品属性
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| 品牌/商标 | FUJI | 型号/规格 | 2SK2806 |
| 种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | HF/高频(射频)放大 |
| 封装外形 | WAFER/裸芯片 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
原装现货，欢迎查询
| 产品种类: | MOSFET 功率 |
| RoHS: |  详细信息 |
| 配置: | Single |
| 晶体管*性: | N-Channel |
| 电阻汲*/源* RDS（导通）: | 1.4 Ohms |
| 汲*/源*击穿电压: | 900 V |
| 闸/源击穿电压: | +/- 30 V |
| 漏*连续电流: | 8 A |
| 功率耗散: | 85 W |
| *大工作温度: | + 150 C |
| 安装风格: | Through Hole |
| 封装 / 箱体: | TO-*(N)IS |
| 封装: | Bulk |
| *小工作温度: | - 55 C |
FUJI
2SK2806
