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11年原装无铅深圳大量现货 PHD20N06T

地区：广东 深圳
认证： 无

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PHD20N06T   11年原装无铅深圳大量现货

品牌

其他

型号

PHD20N06T

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

用途

S/开关

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

20V（V）

夹断电压

60V（V）

跨导

1（μS）

*间电容

1（pF）

低频噪声系数

1（dB）

漏*电流

20A（mA）

耗散功率

1（mW）