ST 功率场效应管 N沟道/2A/600V/45W STP2NK60Z

地区:广东 广州
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海外现货,货期7~10天。D/C:0720。*少包装:50/管,*少订量:200只,价格再议。
描述晶体管*性:N漏*电流, Id *大值:1.4A电压, Vds *大:600V开态电阻, Rds(on):8ohm电压 @ Rds测量:30V电压, Vgs *高:3.75V功耗:45W工作温度范围:-55°C to 150°C封装类型:TO-220针脚数:3功率, Pd:45W封装类型:TO-220封装类型, 替代:SOT-78B晶体管类型:MOSFET电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds:600V电压, Vds 典型值:600V电流, Id 连续:1.4A电流, Idm 脉冲:0.77A表面安装器件:通孔安装阈值电压, Vgs th 典型值:3.75V
品牌/型号

ST意法半导体/STP2NK60Z

种类

*缘栅MOSFET

用途

DC/直流

封装外形

P-DIT/塑料双列直插

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

3.75(V)

夹断电压

600(V)

跨导

详见资料(μS)

*间电容

详见资料(pF)

低频噪声系数

详见资料(dB)

漏*电流

2000(mA)

耗散功率

45000(mW)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型