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现货G80N60UFD 场效应管

地区：广东 深圳
认证： 无

李见涌

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品牌/商标 *童 型号/规格 G80N60UFD
种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道
导电方式 增强型 用途 AM/调幅
封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-P-FET锗P沟道
开启电压 600（V） 夹断电压 600（V）
低频跨导 60（μS） *间电容 800（pF）
低频噪声系数 800（dB） *大漏*电流 800（mA）
*大耗散功率 808（mW）