国产三*管 S8550D(图)

地区:广东 深圳
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品牌:国产型号:S8550D应用范围:功率
材料:锗*性:NPN型击穿电压VCBO:40(V)
集电**大允许电流ICM:0.8(A) 截止频率fT:150(MHz) 结构:扩散型
封装形式:TO-92封装材料:金属封装

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MAXIMUM RATINGS* TA=25℃ unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector-Base Voltage -40 V
VCEO Collector-Emitter Voltage -25 V
VEBO Emitter-Base Voltage -6 V
IC Collector Current -Continuous -800 mA
TJ, Tstg Junction and Storage Temperature -55-150 ℃